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一种晶体硅背面点接触的制备方法

基本信息

申请号	CN201310006876.2	申请日	-
公开（公告）号	CN103078008B	公开（公告）日	2015-09-02
申请公布号	CN103078008B	申请公布日	2015-09-02
分类号	H01L31/18(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	徐冬星;倪建林;闻二成	申请（专利权）人	浙江光普太阳能科技有限公司
代理机构	杭州华鼎知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	浙江光普太阳能科技有限公司
地址	313100 浙江省湖州市长兴县经济开发区经四路588号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种晶体硅背面点接触的制备方法，包括如下步骤：1）对单晶硅片表面去除损伤层并形成织构化绒面结构；2）将制绒好的硅片插入石英舟中扩散形成PN结，在硅片的正面形成方块电阻；3）去除硅片四周和背面的PN结，同时采用HF去粗扩散形成磷硅玻璃；4）采用微波法的等离子体化学气相沉积的方法在硅片正反两面沉积一层氮化硅钝化减反膜，并在背面留出点接触的点；5）采用丝网印刷技术对电池背电极、背电场、正面电极依次印刷，背电极印刷银浆，背电场印刷铝浆，正面电极印刷银浆，并通过烧结形成良好的欧姆接触。本发明一次性在硅片正反面都镀上氮化硅薄膜，同时在背面的氮化硅层留出需要点接触的点，工艺简单，降低了制造成本。