一种五水硫酸铜晶体及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111474875.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114016047A | 公开（公告）日 | 2022-02-08 |
| 申请公布号 | CN114016047A | 申请公布日 | 2022-02-08 |
| 分类号 | C25B1/01（2021.01）I;C25B9/23（2021.01）I;C01G3/00（2006.01）I;C01G3/10（2006.01）I | 分类 | 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕; |
| 发明人 | 陈春;张兵;向文胜;赵建龙 | 申请（专利权）人 | 江苏艾森半导体材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 陈小龙 |
| 地址 | 215300江苏省苏州市昆山市千灯镇黄浦江路1647号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种五水硫酸铜晶体及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：步骤1、在电解槽中靠近阳极一侧设置仅允许阳离子通过的单向离子膜，靠近阴极一侧设置仅允许阴离子通过的单向离子膜；在电解槽中加入硫酸水溶液，以电解铜板为阳极，通电电解，得到硫酸铜溶液；步骤2、在电渗析器中交替设置至少一组阳离子膜和阴离子膜，与阳极相邻的是阳离子膜，与阴极相邻的是阴离子膜；将步骤1中的硫酸铜溶液导入电渗析器中，通电电渗析，得到进一步提纯后的硫酸铜溶液；步骤3、将步骤2所得硫酸铜溶液进行蒸发浓缩结晶处理，离心，得到所述五水硫酸铜晶体。本发明所述制备方法工艺简单，制备的硫酸铜晶体纯度高且质量稳定。 |
