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一种以石墨烯为骨架的硅碳薄膜负极及制备方法

基本信息

申请号 CN202010708768.X 申请日 -
公开（公告）号 CN111969186B 公开（公告）日 2021-09-28
申请公布号 CN111969186B 申请公布日 2021-09-28
分类号 H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 分类 基本电气元件;
发明人 张悦;刘曙光;庞先标;杨荣 申请（专利权）人 自贡兴川储能技术有限公司
代理机构 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 代理人 刘小彬
地址 643000 四川省自贡市沿滩区板仓工业园区东环路19号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种以石墨烯为骨架的硅碳薄膜负极及制备方法，属于锂离子电池领域。本发明所述的制备方法包括以下步骤：步骤1.在衬底上生长垂直石墨烯骨架；步骤2.将生长的垂直石墨烯骨架进行等离子处理；步骤3.在经步骤2处理后的垂直石墨烯骨架上生长硅材料。本发明设计科学，方法简单，操作简便。本发明创造性地先在衬底上生长垂直石墨烯，而后再在垂直石墨烯骨架上生长硅材料，从而可以将疏松的硅薄膜嵌入到垂直石墨烯片层之间形成硅碳负极，能很好地克服硅负极材料的问题，并且可以充分发挥垂直石墨烯的面内导电性能，提高离子嵌入与析出效率，对于制备大容量锂离子电池特别是固态电池具有重要意义。