半导体器件及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201710897542.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109585290B | 公开（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申请公布号 | CN109585290B | 申请公布日 | 2022-03-22 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张海洋;纪世良 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣;吴敏 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有鳍部；进行图形化工艺，在进行图形化工艺的过程中在半导体衬底和鳍部上形成平坦层；采用中性粒子束刻蚀工艺去除平坦层。所述方法提高了半导体器件的性能。 |
