半导体结构及半导体结构的形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010988492.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203696A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203696A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L27/088（2006.01）I;H01L23/528（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈卓凡 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上若干平行排列的栅极结构；位于各栅极结构两侧衬底内的源漏掺杂区；位于栅极结构部分侧壁的侧墙结构，所述侧墙结构的顶部表面低于所述栅极结构的顶部表面；位于所述源漏掺杂区上的导电层，所述导电层与栅极结构之间由侧墙结构隔离；位于导电层上和侧墙结构上的阻挡层。所述半导体结构中的阻挡层和侧墙结构能够共同保护所述导电层的顶部表面和侧壁表面，减少所述导电层受到损伤。 |
