半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010912159.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203814A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203814A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 于海龙;荆学珍;张浩;张田田;孟晋辉 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底上具有介质层，且所述介质层内具有暴露出基底表面的开口；位于所述开口内的导电层；位于所述导电层顶部表面的覆盖层，由于所述覆盖层覆盖于所述导电层表面，能够减少导电层内的原子或者离子向上扩散，进入到所述介质层内或者后续位于开口内的其他结构，有利于提高形成的半导体结构的电学性能。 |
