半导体结构及半导体结构的形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010988486.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203698A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203698A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L27/092（2006.01）I;H01L21/8238（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 纪世良;涂武涛;陈建;张海洋 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述第二区位于相邻第一区之间；位于衬底上的第一鳍部结构和第二鳍部结构，所述第一鳍部结构横跨所述第二区，所述第二鳍部结构平行于所述第一鳍部结构；位于第二区上的第一防扩散结构和第二防扩散结构，部分所述第一防扩散结构位于第一鳍部结构内，部分所述第二防扩散结构位于第二鳍部结构内，所述第一防扩散结构至少和两个第二防扩散结构相接。所述半导体结构的性能得到提升。 |
