半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010980689.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203670A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203670A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L23/528（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郑二虎 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供基底；在所述基底上形成若干栅极结构以及第一介质层，所述第一介质层还位于所述栅极结构的侧壁面，且所述栅极结构表面低于所述第一介质层表面；在所述栅极结构表面形成栅极保护结构，所述栅极保护结构还位于所述第一介质层内，且所述栅极保护结构表面的边缘高于表面的中心。从而，提高半导体结构的性能和可靠性。 |
