半导体器件及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201810117271.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110120345B | 公开（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申请公布号 | CN110120345B | 申请公布日 | 2022-03-22 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张焕云;吴健 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 薛异荣;吴敏 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底，基底表面具有第一栅介质膜；在部分第一栅介质膜上形成第一栅电极层；形成位于第一栅介质膜上的偏移侧墙膜，偏移侧墙膜覆盖第一栅电极层侧壁表面；之后在第一栅电极层两侧的基底中形成轻掺杂区；之后去除偏移侧墙膜和第一栅电极层周围的第一栅介质膜，使第一栅电极层底部的第一栅介质膜形成第一栅介质层；形成覆盖第一栅电极层和第一栅介质层的全部侧壁表面的间隙侧墙；在第一栅电极层、第一栅介质层和间隙侧墙两侧的基底中分别形成源漏掺杂区；在源漏掺杂区和基底上形成介质层；去除第一栅电极层和第一栅介质层，在介质层形成栅开口，栅开口的侧壁有间隙侧墙。所述方法提高了半导体器件性能。 |
