半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010988489.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203671A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203671A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L23/528（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 呼翔 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底；形成若干栅极结构和若干源漏掺杂层，所述源漏掺杂层位于相邻的所述栅极结构之间；在所述源漏掺杂层上形成导电结构，所述导电结构的顶部表面低于所述栅极结构的顶部表面，在相邻的所述栅极结构之间具有第一开口；在所述第一开口侧壁形成停止层。通过在所述第一开口的侧壁形成停止层，在后续刻蚀去除所述第一开口内的所述第一保护层时，由于所述第一开口的侧壁具有停止层，会使得刻蚀停止在所述停止层的表面，进而避免了刻蚀工艺对栅极结构的侧壁造成损伤，因此，在后续形成导电插塞时，不会造成所述导电插塞与栅极结构之间的短接，进而提升最终形成的半导体结构的性能。 |
