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SRAM单元及其检测方法、SRAM单元的检测系统和SRAM器件

基本信息

申请号 CN201710037835.8 申请日 -
公开（公告）号 CN108320775B 公开（公告）日 2022-03-22
申请公布号 CN108320775B 申请公布日 2022-03-22
分类号 G11C29/08（2006.01）I;G11C29/56（2006.01）I;G01R31/28（2006.01）I 分类 信息存储;
发明人 甘正浩 申请（专利权）人 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 高静;吴敏
地址 201203上海市浦东新区张江路18号
法律状态 -

摘要

摘要 一种SRAM单元及其检测方法、SRAM单元的检测系统和SRAM器件，SRAM单元包括：存储单元，包括第一反相器和第二反相器；传送单元，包括第一传送门晶体管和第二传送门晶体管，第一传送门晶体管和第二传送门晶体管的漏极分别与第一节点和第三节点电连接；字线，与第一传送门晶体管栅极和第二传送门晶体管栅极电连接；位线，包括第一位线和第二位线，第一位线和第二位线分别与第一传送门晶体管和第二传送门晶体管的源极电连接；与位线电连接的驱动单元，用于同时向第二节点和第四节点加载低电平；与位线电连接的读取单元，用于读取第一上拉晶体管和第二上拉晶体管的输出电流之和。通过所述SRAM单元可以侦测失效SRAM单元。