半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010990198.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203697A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203697A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L27/088（2006.01）I;H01L27/092（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I;H01L21/8238（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 涂武涛;纪世良;陈建;王彦;张海洋 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底；在衬底的器件区上形成若干第一鳍部和第二鳍部；在衬底的隔离区上形成若干第一伪栅结构；在衬底上形成介质层；在介质层和第二鳍部内形成第一开口；在第一开口内形成第一隔离结构；在介质层和第一鳍部内第二开口；在第二开口内形成第二隔离结构。第二鳍部位于器件区上，且第二鳍部还横跨于隔离区上，使得在隔离区上形成的第一伪栅结构会全部覆盖第二鳍部的部分侧壁和顶部表面，在去除位于第二区上的第一伪栅结构时，刻蚀溶液不会损伤到第二鳍部。通过不同步骤形成第一隔离结构和第二隔离结构，使得第一鳍部和第二鳍部能够产生不同类型的应力，以满足不同类型晶体管的需求，进而提升半导体结构性能。 |
