一种控制其表面生长的石墨烯的形核密度的方法
基本信息
| 申请号 | CN201410845545.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104562005B | 公开（公告）日 | 2017-08-29 |
| 申请公布号 | CN104562005B | 申请公布日 | 2017-08-29 |
| 分类号 | C23C28/04(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C23C22/05(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 丁荣;梁铮;倪振华;陈玉明;袁文军 | 申请（专利权）人 | 泰州石墨烯研究检测平台有限公司 |
| 代理机构 | 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人 | 泰州巨纳新能源有限公司;泰州石墨烯研究检测平台有限公司;上海巨纳科技有限公司;泰州飞荣达新材料科技有限公司 |
| 地址 | 225300 江苏省泰州市凤凰西路168号5号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种控制其表面生长的石墨烯的形核密度的方法，其特征在于，包括如下步骤：配制质量浓度为5‑30%的双氧水；将铜箔浸泡其中，铜箔被双氧水氧化；然后用该预处理后的铜箔用于CVD生长石墨烯。所述的步骤2）中的浸泡时间为5‑60s。相比较于其他控制铜箔表面石墨烯形核密度的方法，本方法简便易行，只需要预先对铜箔进行双氧水浸泡就可以有效降低铜箔表面石墨烯的形核密度。同时，本方法也可以与其他控制方法联合使用，在本方法的基础上，通过控制混气比、气体压强、铜箔表面粗糙度、生长温度等，可以进一步降低形核密度，提高石墨烯薄膜的单晶尺寸。 |
