玻璃基片镀SIO<sub>2</sub>的掩膜体的方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

玻璃基片镀SIO₂的掩膜体的方法

基本信息

申请号	CN201010196069.8	申请日	-
公开（公告）号	CN101881926A	公开（公告）日	2010-11-10
申请公布号	CN101881926A	申请公布日	2010-11-10
分类号	G03F7/00(2006.01)I	分类	摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕;
发明人	李益芳;王磊;刘锡钢;余汉水;毛飞	申请（专利权）人	深圳拓励达光电科技有限公司
代理机构	深圳市中知专利商标代理有限公司	代理人	深圳市拓励达光电科技有限公司;深圳力合光电传感股份有限公司
地址	518132 广东省深圳市光明新区公明办事处长圳社区第四工业区19号三层A区
法律状态	-

摘要

一种玻璃基片镀SIO2的掩膜体的方法，其特征在于光刻材料为：液晶显示器用正性光刻胶，其密度为1.06g/cm3，闪点为：47度，沸点为146度；具体步骤如下：在清洗后的基板上涂正性光刻胶，膜厚为1.2um～1.8um；预烘的固化温度为：80～110℃，时间为100～150分钟；曝光参数：80～150mj，母板与基板之间的间隙GAP量：100～200um；把氢氧化钾KOH配比成0.55％的水溶液，显影温度设定：22～24℃，时间为：40～120秒；固化温度设定：100～120℃，时间：5～20分钟；真空溅射镀SIO2膜层镀膜室的镀膜温度控制在110～130℃；由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液作为脱膜液进行脱膜；去除基板上光刻胶，温度控制：40-60度，时间：10-20min；最后清洗。