一种单晶硅太阳能电池片去除磷硅玻璃的工艺
基本信息
| 申请号 | CN201310722757.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103746030B | 公开（公告）日 | 2016-05-11 |
| 申请公布号 | CN103746030B | 申请公布日 | 2016-05-11 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 丁继业;安百俊;谢余才;陈刚刚;田治龙;任春兰;何晓玢;葛瑞丽;曲岩 | 申请（专利权）人 | 宁夏银星能源股份有限公司 |
| 代理机构 | 宁夏专利服务中心 | 代理人 | 赵明辉 |
| 地址 | 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区六盘山西路166号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种单晶硅太阳能电池片去除磷硅玻璃的工艺，用于去除扩散后在硅片表面形成的磷硅玻璃。其特点是，包括如下步骤：（1）将槽式去PSG清洗机6个槽中的杂质清除；（2）向1#酸槽注入纯水100L，然后加入16L质量浓度49%的电子纯氢氟酸，再注入30L纯水，最终得到氢氟酸溶液；向2#快排槽、3#槽、4#槽、5#槽、6#槽注满纯水；（3）将装好硅片的提篮放入去磷硅玻璃清洗机上料口；（4）运行槽式去PSG清洗机；（5）结束后取出提篮，快速放入甩干机内，甩干。本发明可以去除硅片扩散过程中形成的磷硅玻璃，使去PSG后的硅片符合工艺要求，避免硅片表面出现亲水现象，提升扩散后的少子寿命。 |
