扩散后方块电阻和少子寿命异常硅片的处理办法
基本信息
| 申请号 | CN201310720135.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103745940B | 公开（公告）日 | 2016-08-17 |
| 申请公布号 | CN103745940B | 申请公布日 | 2016-08-17 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨佳;谢余才;杨利利;安百俊;王雄;武建;李天钚 | 申请（专利权）人 | 宁夏银星能源股份有限公司 |
| 代理机构 | 宁夏专利服务中心 | 代理人 | 赵明辉 |
| 地址 | 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区六盘山西路166号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种扩散后方块电阻（简称方阻）和少子寿命异常硅片的处理办法，该方法用于处理因扩散不当而不合质量标准的硅片。其特点是，包括如下步骤：（1）首先对单晶硅片单面扩散后方块电阻和少子寿命异常硅片进行分类，第一类为方阻和少子寿命分别为90?130Ω/sq和0?2μs，第二类为方阻和少子寿命分别为75?90Ω/sq和4?20μs，第三类为方阻和少子寿命分别为40?50Ω/sq和4?20μs，第四类为方阻和少子寿命分别为60?75Ω/sq和2?4μs；（2）对第一类硅片进行如下处理：按原扩散工艺再重复进行一次扩散。采用本发明的方法后，省去了重新清洗制绒的环节，大大节约了返工成本、时间。 |
