银纳米线薄膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111551448.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114334274A | 公开（公告）日 | 2022-04-12 |
| 申请公布号 | CN114334274A | 申请公布日 | 2022-04-12 |
| 分类号 | H01B13/00（2006.01）I;H01B5/14（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王新月;李奇琳;甘堃 | 申请（专利权）人 | 深圳市善柔科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 方良 |
| 地址 | 518000广东省深圳市光明区凤凰街道塘尾社区恒泰裕大厦1栋507 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及导电材料技术领域，尤其涉及一种银纳米线薄膜及其制备方法。该银纳米线薄膜的制备方法包括：将银纳米线墨水涂布在基板上，然后干燥处理，得到初始银纳米线薄膜；在初始银纳米线薄膜表面涂布丙烯酸酯溶液，然后固化处理，形成含聚丙烯酸酯的固化层；其中，丙烯酸酯溶液含有丙烯酸酯单体和烯基单体，烯基单体含过渡金属元素，形成的聚丙烯酸酯的相对介电常数大于3。该制备方法可以提高银纳米线的介电环境，抑制银纳米线的表面等离子体共振效应，从而减弱对可见光区的吸收和散射，最终可以降低雾度、增强耐光照性能。 |
