银纳米线导电薄膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910903375.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110718334B | 公开（公告）日 | 2021-05-07 |
| 申请公布号 | CN110718334B | 申请公布日 | 2021-05-07 |
| 分类号 | C09D183/16(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 李奇琳;王新月;甘堃;陈超云 | 申请（专利权）人 | 深圳市善柔科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 方良 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区桃源街道珠光社区珠光路珠光创新科技园4栋1层103 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种银纳米线导电薄膜及其制备方法。该银纳米线导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供基板；在所述基板上涂布银纳米线墨水，然后进行干燥处理，得到初始银纳米线薄膜；在所述初始银纳米线薄膜表面涂布聚硅氮烷溶液，然后固化处理，得到银纳米线导电薄膜。用聚硅氮烷溶液固化形成的聚硅氮烷固化层作为保护层，具有透明性高、硬度高、介电性能好以及优异的水氧阻隔性能，从而提高了银纳米线导电薄膜的耐候性。 |
