银纳米线薄膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010757869.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111986850A | 公开（公告）日 | 2020-11-24 |
| 申请公布号 | CN111986850A | 申请公布日 | 2020-11-24 |
| 分类号 | H01B13/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李奇琳;甘堃;陈超云 | 申请（专利权）人 | 深圳市善柔科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 方良 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区桃源街道珠光社区珠光路珠光创新科技园4栋1层103 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种银纳米线薄膜及其制备方法。该银纳米线薄膜的制备方法包括如下步骤：提供基板；将银纳米线墨水涂覆在所述基板上，进行第一干燥处理，得到初始银纳米线薄膜；将所述初始银纳米线薄膜置于含有硼烷络合物和水蒸汽的混合气体中进行表面处理，然后进行第二干燥处理，得到银纳米线薄膜。该制备方法制得的银纳米线薄膜的方阻显著降低，可靠性极好，而且该制备方法的工艺具有简单、快速以及低成本的特点。 |
