银纳米线导电薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910903370.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110634620B | 公开（公告）日 | 2021-05-14 |
| 申请公布号 | CN110634620B | 申请公布日 | 2021-05-14 |
| 分类号 | H01B13/00;H01B13/30;H01B5/14 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈建良;李奇琳;甘堃;陈超云 | 申请（专利权）人 | 深圳市善柔科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 方良 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道珠光社区珠光路珠光创新科技园4栋1层103 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种银纳米线导电薄膜的制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供基板；将银纳米线墨水涂布在所述基板上，形成初始银纳米线薄膜；将所述初始银纳米线薄膜与含铵根离子和硼氢根离子的溶液混合处理，然后进行干燥处理，得到银纳米线导电薄膜。本发明的上述银纳米线导电薄膜的制备方法，通过利用铵根离子和硼氢根离子相结合以有效去除银纳米线表面的PVP，使银纳米线更好搭接，最终提高了银纳米线导电薄膜的导电性能。 |
