银纳米线薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910744365.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110580973B | 公开（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申请公布号 | CN110580973B | 申请公布日 | 2021-07-20 |
| 分类号 | H01B5/14;H01B13/00;H01B1/22 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈志雄;李奇琳;彭哲伟;罗晓雯;陈建良;甘堃;陈超云 | 申请（专利权）人 | 深圳市善柔科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐汉华 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道珠光社区珠光路珠光创新科技园4栋1层103 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种银纳米线薄膜的制备方法。该银纳米线薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供初始银纳米线溶液；将具有氧化性的气体通入所述初始银纳米银线溶液中，在银纳米线表面进行氧化反应，得到氧化后的银纳米线溶液；将所述氧化后的银纳米线溶液涂覆在基板上进行干燥处理，得到银纳米线薄膜。银纳米线的表面被氧化后会在表面形成银金属化合物，这些银金属化合物会抑制银纳米线表面等离子共振的产生，从而使散射光的比例减少，进而降低雾度，而银的金属化合物一般不具备金属光泽，因此能减少反射，这也进一步降低了雾度；因此，使最终制得的银纳米线薄膜的雾度显著降低。 |
