银纳米线导电薄膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910903366.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110689995B | 公开（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申请公布号 | CN110689995B | 申请公布日 | 2021-07-20 |
| 分类号 | H01B5/02;H01B5/14;H01B13/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李奇琳;甘堃;陈超云 | 申请（专利权）人 | 深圳市善柔科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 方良 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道珠光社区珠光路珠光创新科技园4栋1层103 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种银纳米线导电薄膜及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供基板；在所述基板上涂布银纳米线墨水，然后进行第一干燥处理，得到初始银纳米线薄膜；在所述初始银纳米线薄膜表面涂布聚酰亚胺溶液，然后进行第二干燥处理，形成覆盖所述初始银纳米线薄膜的聚酰亚胺层，得到银纳米线导电薄膜。本发明通过涂布可溶的线性高分子聚酰亚胺层代替现有不可溶的体型高分子材料保护层，既可以很好地保护银纳米线，又可以使银纳米线与银浆搭接，保证银纳米线导电薄膜的导电性和可靠性。 |
