首页/ 厦门芯晶亮电子科技有限公司/ 专利详情

降低逆向漏电流的SiC MOSFET组件及其制造方法

基本信息

申请号 CN201710035516.3 申请日 -
公开（公告）号 CN106920834A 公开（公告）日 2017-07-04
申请公布号 CN106920834A 申请公布日 2017-07-04
分类号 H01L29/06;H01L29/36;H01L29/78;H01L21/336 分类 基本电气元件;
发明人 廖奇泊;古一夫;陈俊峰;周雯 申请（专利权）人 厦门芯晶亮电子科技有限公司
代理机构 上海汉声知识产权代理有限公司 代理人 厦门芯晶亮电子科技有限公司
地址 361028 福建省厦门市海沧区新乐东路9号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种降低逆向漏电流的SiC MOSFET组件及其制造方法，降低逆向漏电流的SiC MOSFET组件包括金属层等，N型漏极层位于N型碳化硅基板的底端，栅极绝缘层、P型植入区都位于N型碳化硅基板的顶端，P型植入区位于P阱的下方，源极层、P阱都位于栅极绝缘层的侧面，源极层位于P阱的上方，多晶硅层位于栅极绝缘层内，源极层、多晶硅层、栅极绝缘层都位于绝缘层的下方，绝缘层位于金属层内。本发明改变空乏区和电场的分布，避免高电场出现在P型silicon接口的缺陷区域，因此可以降低组件的逆向漏电流。