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降低逆向漏电流的GaN场效应管组件胞架构

基本信息

申请号 CN201610488152.X 申请日 -
公开（公告）号 CN107546255A 公开（公告）日 2018-01-05
申请公布号 CN107546255A 申请公布日 2018-01-05
分类号 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 廖奇泊;胡建国;周雯 申请（专利权）人 厦门芯晶亮电子科技有限公司
代理机构 上海汉声知识产权代理有限公司 代理人 厦门芯晶亮电子科技有限公司
地址 361028 福建省厦门市海沧区新乐东路9号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供的一种降低逆向漏电流的GaN场效应管组件胞架构，包括：N型基板；N型GaN层沉积在N型基板上，在N型GaN层的两侧设有P型植入区；P型硅层沉积在N型GaN上；N型源极沉积在P型硅层上；栅极沟槽设置在N型GaN层上及P型硅层上，栅极沟槽连接N型源极与N型GaN层；N型多晶硅沉积在栅极沟槽内；绝缘层包裹在栅极沟槽的外侧；介电层沉积在P型硅层上；金属层覆盖介电层上。本发明在N型的GaN基板上局部去除一定的厚度和形成一个重掺杂的P型区域，由于P型的浓度大于N型GaN的掺杂浓度因此空乏区主要延伸在N型GaN区域，另外由于屏蔽电场出现在接口结构缺陷区域，因此可以降低接口缺陷所造成的逆向漏电流。