SiC MOSFET器件单元及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201610080830.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105576032B | 公开（公告）日 | 2019-03-12 |
| 申请公布号 | CN105576032B | 申请公布日 | 2019-03-12 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 廖奇泊; 陈俊峰; 古一夫; 周雯 | 申请（专利权）人 | 厦门芯晶亮电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海汉声知识产权代理有限公司 | 代理人 | 厦门芯晶亮电子科技有限公司 |
| 地址 | 361028 福建省厦门市海沧区新乐东路9号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种SiC MOSFET器件单元及其制造方法，SiC MOSFET器件单元包括源极层、绝缘层、N+源极层、多晶硅栅层、栅极绝缘层、漏极层、P阱、P+区、P型植入区，绝缘层位于源极层和多晶硅栅层之间，栅极绝缘层位于多晶硅栅层的外侧，N+源极层位于栅极绝缘层和P+区之间，漏极层位于P型植入区的下方，P+区位于P阱内，P型植入区位于栅极绝缘层的下面。本发明在以高参杂浓度的N型SiC为衬底区的状况下，仍可使用传统的P型Silicon不需提高P井区的参杂浓度和深度，可以提供低导通电压和低导通电阻的特性且没有电子迁移率下降的问题。 |
