碳化硅器件中的Trench MOSFET的栅氧化加工方法
基本信息
| 申请号 | CN201610018524.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105513962A | 公开（公告）日 | 2016-04-20 |
| 申请公布号 | CN105513962A | 申请公布日 | 2016-04-20 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 廖奇泊;胡建国;周雯 | 申请（专利权）人 | 厦门芯晶亮电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海汉声知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭国中 |
| 地址 | 200233 上海市徐汇区宜山路700号83幢102B室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种碳化硅器件中的Trench?MOSFET的栅氧化加工方法，其包括：步骤1：在N型低掺杂外延碳化硅的表面进行退火；步骤2：在所述的退火产物的表面植入含硅CVD膜的步骤；步骤3：对含硅CVD膜进行热处理，完成氧化过程。本发明的工艺处理非常新颖，本发明的方法既改善了SiC/SiO2界面态，又提高了热氧化的生长速率并得到了控制Trench?MOSFET阈值的高质量介质-栅氧化层；本发明的方法简便易行，便于进行大规模的商业化生产。 |
