一种铜合金半导体引线框架的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201310615716.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103667774B | 公开（公告）日 | 2016-08-17 |
| 申请公布号 | CN103667774B | 申请公布日 | 2016-08-17 |
| 分类号 | C22C9/02;C22C1/02;C22F1/08;H01L21/48 | 分类 | 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理; |
| 发明人 | 毛秧群 | 申请（专利权）人 | 余姚市士森铜材厂 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 210000 江苏省南京市建邺区集庆门大街北侧、江东路西侧、燕山路东侧、福园街南侧万达广场西地贰街区16幢1208室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种铜合金半导体引线框架的制备方法，通过镍铁磷铜沉淀强化型合金体系的组分优化，并合理控制退火温度、退火时间以及冷轧工艺参数，确定最为匹配的合金成分和加工工艺，缩短了热处理时间，提高了生产效率，同时获得兼具优异力学性能和导电性能的沉淀硬化型铜合金，通过成型工艺最终将其成型为半导体引线框架。 |
