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一种多晶硅铸锭工艺

基本信息

申请号 CN201610694941.9 申请日 -
公开（公告）号 CN106283182B 公开（公告）日 2019-09-27
申请公布号 CN106283182B 申请公布日 2019-09-27
分类号 C30B28/06;C30B29/06;C30B33/02;C03C17/00 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 刘波波;贺鹏;虢虎平;史燕凯 申请（专利权）人 西安华晶电子技术股份有限公司
代理机构 西安创知专利事务所 代理人 西安华晶电子技术股份有限公司
地址 710077 陕西省西安市高新区锦业二路91号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种多晶硅铸锭工艺，包括以下步骤：一、辅助加热器安装：在多晶硅铸锭炉内安装辅助加热器；辅助加热器为布设在坩埚下方的底部加热器；二、装料；三、预热；四、熔化，过程如下：401、六面加热熔化；402、五面加热熔化；403、后续熔化；五、熔化后至长晶前处理，过程如下：501、降温；502、升温；六、长晶；七、退火及冷却：步骤六中长晶过程完成后，进行退火与冷却，并获得加工成型的多晶硅铸锭。本发明工艺步骤简单、设计合理且实现简便、使用效果好，采用六面加热装置进行加热，同时通过增设熔化后至长晶前处理步骤，并对长晶工艺进行调整，能有效减小晶粒度，提高铸锭成品的质量。