一种多晶硅半熔铸锭方法
基本信息
| 申请号 | CN201610694071.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106119956B | 公开（公告）日 | 2019-04-12 |
| 申请公布号 | CN106119956B | 申请公布日 | 2019-04-12 |
| 分类号 | C30B28/06;C30B29/06 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 李建军;刘波波;贺鹏;蔺文;虢虎平 | 申请（专利权）人 | 西安华晶电子技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 西安创知专利事务所 | 代理人 | 西安华晶电子技术股份有限公司 |
| 地址 | 710077 陕西省西安市高新区锦业二路91号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅半熔铸锭方法，包括步骤：一、预热：采用多晶硅铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行预热，多晶硅铸锭炉的顶侧比系数c＝1；二、熔化及后期排杂，过程如下：201、熔化；202、熔化后期排杂：采用多晶硅铸锭炉对硅料进行继续熔化，继续熔化时间为15min～40min；继续熔化过程中，通过调整顶部加热器和/或四个侧部加热器的加热功率使0.8≤c＜1；三、长晶及同步排杂：长晶过程中，通过调整顶部加热器和/或四个侧部加热器的加热功率使0.3≤c＜0.9；四、退火及冷却。本发明方法步骤简单、设计合理且实现方便、使用效果好，能解决现有多晶硅半熔铸锭工艺存在的排杂效果较差、铸锭成品质量不能保证等问题。 |
