一种多晶硅半熔铸锭用熔料及长晶工艺专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种多晶硅半熔铸锭用熔料及长晶工艺

基本信息

申请号	CN201610694261.7	申请日	-
公开（公告）号	CN106087045B	公开（公告）日	2019-05-07
申请公布号	CN106087045B	申请公布日	2019-05-07
分类号	C30B28/06（2006.01）I; C30B29/06（2006.01）I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	刘波波; 贺鹏; 蔺文; 虢虎平; 史燕凯	申请（专利权）人	西安华晶电子技术股份有限公司
代理机构	西安创知专利事务所	代理人	西安华晶电子技术股份有限公司
地址	710077 陕西省西安市高新区锦业二路91号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种多晶硅半熔铸锭用熔料及长晶工艺，步骤一、熔化及后期排杂，过程如下：101、熔化：按照常规的多晶硅半熔铸锭法，采用多晶硅铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行熔化；102、熔化后期排杂：采用多晶硅铸锭炉对装于坩埚内的硅料继续熔化，继续熔化时间为15min～40min；继续熔化过程中，通过调整顶部加热器和/或四个侧部加热器的加热功率，使0.8≤c＜1；二、长晶及同步排杂：长晶过程中，通过调整顶部加热器和/或四个所述侧部加热器的加热功率，使0.3≤c＜0.9。本发明工艺步骤简单、设计合理且实现简便、使用效果，在熔料后期及长晶过程中同步进行排杂，排杂效果好，能有效减少硬质点，并提高铸锭成品的质量。