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一种多晶硅半熔铸锭用排杂方法

基本信息

申请号	CN201610696080.8	申请日	-
公开（公告）号	CN106048718B	公开（公告）日	2018-10-12
申请公布号	CN106048718B	申请公布日	2018-10-12
分类号	C30B28/06;C30B29/06	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	刘波波;贺鹏;蔺文;虢虎平	申请（专利权）人	西安华晶电子技术股份有限公司
代理机构	西安创知专利事务所	代理人	西安华晶电子技术股份有限公司
地址	710077 陕西省西安市高新区锦业二路91号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种多晶硅半熔铸锭用排杂方法，包括步骤：一、熔化及排杂，过程如下：101、熔化：采用多晶硅铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行熔化，并向多晶硅铸锭炉内充入惰性气体进行保压；102、降压排杂；103、熔化后期排杂：先将多晶硅铸锭炉的气压进行升压，再对硅料继续熔化，并通过调整顶部加热器和/或四个侧部加热器的加热功率使0.8≤c＜1，c为多晶硅铸锭炉的顶侧比系数；二、长晶及同步排杂：通过调整顶部加热器和/或四个侧部加热器的加热功率使0.3≤c＜0.9。本发明方法步骤简单、设计合理且实现简便、使用效果，通过熔料后期同步排杂、降压排杂与长晶过程同步排杂有效减少铸锭成品的硬质点，能有效提高铸锭成品的质量。