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一种减小晶粒度的多晶硅铸锭方法

基本信息

申请号 CN201610694944.2 申请日 -
公开（公告）号 CN106087046B 公开（公告）日 2019-03-08
申请公布号 CN106087046B 申请公布日 2019-03-08
分类号 C30B28/06（2006.01）I; C30B29/06（2006.01）I; C30B33/02（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 虢虎平; 刘波波; 贺鹏; 史燕凯 申请（专利权）人 西安华晶电子技术股份有限公司
代理机构 西安创知专利事务所 代理人 西安华晶电子技术股份有限公司
地址 710077 陕西省西安市高新区锦业二路91号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种减小晶粒度的多晶硅铸锭方法，包括以下步骤：一、装料；二、预热；三、熔化；四、熔化后至长晶前处理：401、降温：将多晶硅铸锭炉的加热温度由T2降至T3，并保温15～25min，T2＝1540～1560℃，T3＝1410～1420℃；402、升温：将多晶硅铸锭炉的加热温度由T3升至T4，并保温8～15min，T4＝1435～1445℃；五、长晶：将多晶硅铸锭炉的加热温度控制在T4并进行定向凝固，直至完成长晶过程；六、退火及冷却。本发明方法步骤简单、设计合理且实现简便、使用效果好，通过增设熔化后至长晶前处理步骤，并对长晶工艺进行调整，能有效减小晶粒度，提高铸锭成品的质量。