一种角度可控的SiC衬底缓坡刻蚀方法
基本信息
| 申请号 | CN201711220783.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108063087B | 公开（公告）日 | 2019-10-29 |
| 申请公布号 | CN108063087B | 申请公布日 | 2019-10-29 |
| 分类号 | H01L21/027（2006.01）I; H01L21/033（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱继红; 蔺增金; 赵小瑞; 张志文 | 申请（专利权）人 | 北京燕东微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京正理专利代理有限公司 | 代理人 | 张雪梅 |
| 地址 | 100015 北京市朝阳区东直门外西八间房万红西街2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种角度可控的SiC衬底缓坡刻蚀方法，其特征在于，步骤包括：在SiC衬底上形成抗刻蚀掩模层；在抗刻蚀掩模层上形成形貌控制掩模层；腐蚀形貌控制掩模层，包括：在形貌控制掩模层上涂覆第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行光刻，形成形貌控制掩模层的腐蚀窗口，利用腐蚀窗口对形貌控制掩模层进行腐蚀，以及在形貌控制掩模层上涂覆第二光刻胶层，对第二光刻胶层进行光刻，在形貌控制掩模层上形成刻蚀窗口，利用刻蚀窗口对形貌控制掩模层进行侧蚀，在光刻胶层与抗刻蚀掩模层之间形成刻蚀间隙；腐蚀抗刻蚀掩模层，在抗刻蚀掩模层上形成缓坡角度；以及刻蚀衬底，形成具有缓坡角度的衬底。 |
