用于薄片晶体的二维定向误差精密测量方法
基本信息
| 申请号 | CN201810813573.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108613641B | 公开（公告）日 | 2019-11-12 |
| 申请公布号 | CN108613641B | 申请公布日 | 2019-11-12 |
| 分类号 | G01B15/00（2006.01）I; G01N23/20（2018.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 安宁; 吴华峰; 李朝阳; 徐勇 | 申请（专利权）人 | 安徽创谱仪器科技有限公司 |
| 代理机构 | 合肥诚兴知识产权代理有限公司 | 代理人 | 安徽创谱仪器科技有限公司 |
| 地址 | 230000 安徽省合肥市蜀山区高新区皖水路228号1幢八层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于薄片晶体的二维定向误差精密测量方法，方法中将待测晶体样品固定在吸板上，探测器与X‑射线夹角旋转至Bragg角的2倍，利用精密转台对待测晶体样品绕z方向的θ角进行扫描，将待测晶体样品的相位角即绕y方向转动改变直到待测晶体样品的相位角完成360°旋转。采用上述方法可以实现二维定向误差测量；不依赖标准晶体，测量结果精度高；可以得到定向误差大小及方向两方面信息。 |
