一种芯片良率的监测方法及装置、电子设备、存储介质
基本信息
| 申请号 | CN202111322816.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113987954A | 公开（公告）日 | 2022-01-28 |
| 申请公布号 | CN113987954A | 申请公布日 | 2022-01-28 |
| 分类号 | G06F30/27（2020.01）I;G06F16/903（2019.01）I;G06F16/906（2019.01）I;G06K9/62（2022.01）I;G06N20/00（2019.01）I;G06F119/02（2020.01）N | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 詹扬扬 | 申请（专利权）人 | 成都海光微电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京市广友专利事务所有限责任公司 | 代理人 | 张仲波 |
| 地址 | 610041四川省成都市高新区天府大道中段1366号2栋天府软件园E5座12层23-32号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例公开一种芯片良率的监测方法及装置、电子设备、存储介质，涉及半导体加工技术领域，能够有效提高芯片良率监测的准确率和时效性。所述方法包括：根据芯片在预设测试中的测试结果，分别确定各监测对象的良率信息，其中，所述良率信息包括芯片良率和/或良率损失，每个所述监测对象包括以下任一种：同一批次的芯片、同一晶圆上的芯片、同一晶圆上同一预设区域内的芯片；根据所述良率信息，将各所述监测对象划分为至少两个对象集合；从所述至少两个对象集合中查找目标集合，以根据所述目标集合中各监测对象对应的工艺信息调整芯片工艺，其中，所述目标集合携带所述良率信息波动的预警信息。本发明可用于半导体加工的良率控制。 |
