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一种负载到基材上的去合金法获得纳米多孔银的方法

基本信息

申请号 CN201510531888.6 申请日 -
公开（公告）号 CN105112958B 公开（公告）日 2017-09-26
申请公布号 CN105112958B 申请公布日 2017-09-26
分类号 C25D3/56(2006.01)I;C25D3/60(2006.01)I;C25D5/48(2006.01)I 分类 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕;
发明人 崔国峰;林图强 申请（专利权）人 广州丰江微电子有限公司
代理机构 广州嘉权专利商标事务所有限公司 代理人 中山大学;广州丰江微电子有限公司
地址 510275 广东省广州市海珠区新港西路135号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种负载到基材上的去合金法获得纳米多孔银的方法，包括以下步骤：1）在导电基材表面电镀一层银锡合金；2）去除银锡合金中的锡，得到纳米多孔银。或者，包括步骤：1）将绝缘基材表面进行表面导电化处理；2）在经过导电化处理的表面电镀一层银锡合金；3）去除银锡合金中的锡，得到纳米多孔银。本发明可以在导电基材与绝缘体基材上制备纳米多孔银，该纳米多孔银具备分布均匀的孔洞结构，在电化学传感器和生物活性传感器上有潜在的应用前景。