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一种光电探测器

基本信息

申请号 CN201911382842.7 申请日 -
公开（公告）号 CN111129202B 公开（公告）日 2021-07-06
申请公布号 CN111129202B 申请公布日 2021-07-06
分类号 H01L31/109;H01L31/0232 分类 基本电气元件;
发明人 胡晓;肖希;王磊;陈代高;张宇光;李淼峰 申请（专利权）人 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
代理机构 北京派特恩知识产权代理有限公司 代理人 李路遥;张颖玲
地址 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区关山街邮科院路88号1幢1-3层
法律状态 -

摘要

摘要 为解决现有光电探测器具有饱和吸收效应明显、响应度较低的问题，本申请实施例提供一种光电探测器，涉及光电探测器技术领域，所述光电探测器包括：硅层，所述硅层包括第一掺杂类型的掺杂区；与所述硅层接触的锗层，所述锗层包括第二掺杂类型的掺杂区；第一层波导，所述第一层波导包括设置在所述锗层上方的第一探测耦合区；第二层波导，所述第二层波导包括设置在所述锗层侧面的第二探测耦合区；其中，所述第一层波导和所述第二层波导用于传输光信号，所述第一层波导和所述第二层波导分别通过所述第一探测耦合区和所述第二探测耦合区将所述光信号耦合至所述锗层；所述锗层用于探测所述光信号，并将所述光信号转换为电信号。