一种增益峰可调的锗硅光电探测器
基本信息
| 申请号 | CN201911382300.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111129200B | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN111129200B | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | H01L31/101;H01L31/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张红广;肖希;王磊;胡晓;陈代高;李维忠 | 申请（专利权）人 | 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李路遥;张颖玲 |
| 地址 | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区关山街邮科院路88号1幢1-3层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及一种增益峰可调的锗硅光电探测器，所述锗硅光电探测器自下而上包括：硅衬底层，埋氧层，硅波导层，锗有源层和绝缘覆盖层，所述锗硅光电探测器还包括布置在所述锗有源层上的可调的带宽增益组件。本发明提供的具有可调的带宽增益组件的锗硅光电探测器，通过可调的带宽增益组件能够弥补由于锗硅光电探测器不同个体间的差异性引起的带宽增益的差异性问题，实现了针对每一个锗硅光电探测器的最佳带宽增益。 |
