一种结构改良的LED芯片
基本信息
| 申请号 | CN201110069369.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102148309B | 公开（公告）日 | 2013-09-18 |
| 申请公布号 | CN102148309B | 申请公布日 | 2013-09-18 |
| 分类号 | H01L33/46(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王维昀;周爱新 | 申请（专利权）人 | 东莞市福地电子材料有限公司 |
| 代理机构 | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张明 |
| 地址 | 523082 广东省东莞市南城宏图路39号东莞市福地电子材料有限公司 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及LED制备技术领域，尤其涉及一种结构改良的LED芯片。本发明所述的一种结构改良的LED芯片，包括有从下至上依次层叠设置的衬底、N型半导体层、有源层以及P型半导体层，所述衬底的下方层叠设置有反射镜，反射镜与衬底之间分布有颗粒状的银粒子，银粒子的一侧壁粘附于衬底的下表面，银粒子的其余侧壁与反射镜贴合。位于衬底下方的银粒子与反射镜组合并形成复合反射镜，相对于单一金属反射镜或者介电质反射镜而言，该复合反射镜具有较高的表面粗糙度并能够将有源层发出的光线由镜面反射状态变成漫反射状态，漫反射可以增加透出本发明的出光面的光线；所以，本发明能够有效地提高出光效率并最终提升照明亮度。 |
