一种LED芯片的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201110069368.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102157641A | 公开（公告）日 | 2011-08-17 |
| 申请公布号 | CN102157641A | 申请公布日 | 2011-08-17 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王维昀;周爱新 | 申请（专利权）人 | 东莞市福地电子材料有限公司 |
| 代理机构 | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张明 |
| 地址 | 523082 广东省东莞市南城宏图路39号东莞市福地电子材料有限公司 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及LED照明灯具技术领域，尤其涉及一种LED芯片的制备方法。本发明所述一种LED芯片的制备方法依次通过蒸镀银薄膜——冷却——银薄膜快速退火——冷却——蒸镀TiO2/SiO2反射层——冷却工序制备LED芯片，按照上述工序制备而成的LED芯片主要利用反射层与蓝宝石基板之间的银颗粒来增大反射层的反射部的粗糙度，进而将有源层发出的光线由镜面反射状态变成漫反射状态并最终增加透出LED芯片的出光面的光线；所以，上述LED芯片的制备方法能够有效地制备出高出光效率以及高亮度的LED芯片。 |
