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一种半导体热处理真空炉热场结构

基本信息

申请号 CN202010685919.4 申请日 -
公开（公告）号 CN111964444B 公开（公告）日 2022-06-07
申请公布号 CN111964444B 申请公布日 2022-06-07
分类号 F27B17/02（2006.01）I;F27D9/00（2006.01）I;F27D11/00（2006.01）I 分类 炉；窑；烘烤炉；蒸馏炉〔4〕;
发明人 于江水 申请（专利权）人 大同新成新材料股份有限公司
代理机构 太原荣信德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 037002山西省大同市新荣区花园屯村
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种半导体热处理真空炉热场结构，包括底座，所述底座顶部的一侧设置有保温仓，所述保温仓内部两侧的顶部和底部对称设置有滑轨，两组所述滑轨的内部皆设置有与其相互配合的滑块，两组所述滑块相互靠近的一侧共同设置有安装框，所述安装框内部的两侧和顶部皆均匀设置有导热管，所述保温仓内部底部的中间位置处设置有伺服电机B，所述伺服电机B的输出端延伸至安装框的内部并设置有放置板；本发明装置通过保温仓、放置板、控制面板、导热管、伺服电机B和安装框的相互配合，可使物料在测试时受热更加均匀，使其检测效果更加精准，还可减少操作人员操作时间。