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一种半导体制冷石墨烯芯片

基本信息

申请号 CN202010686659.2 申请日 -
公开（公告）号 CN111987055B 公开（公告）日 2022-06-07
申请公布号 CN111987055B 申请公布日 2022-06-07
分类号 H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 李义;张培林;武建军;柴利春;张作文;王志辉 申请（专利权）人 大同新成新材料股份有限公司
代理机构 太原荣信德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 037002山西省大同市新荣区花园屯村
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种半导体制冷石墨烯芯片，包括导热金属层，所述导热金属层顶部的中间位置处均匀设置有散热孔，所述导热金属层的底部设置有芯片主体层，所述芯片主体层的底部设置有底座，所述底座的底部均匀设置有连接针脚，所述芯片主体层内部的中间位置处设置有电路板，所述芯片主体层背面一端一侧的中间位置处设置有安装槽，所述安装槽内侧的一端设置有电磁铁A，所述电磁铁A远离安装槽的一端设置有电磁铁B；本发明装置通过两个芯片组的结合，在低数据运算处理时，可通过电磁控制连接，实现芯片分离，使得其中单个芯片进行运算，另一个芯片处于修整待机状态，从而延长了芯片的使用寿命，同时减少了热量产生。