半导体器件及其制造方法、具有半导体器件的电子设备
基本信息
| 申请号 | CN202010260243.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111564550B | 公开（公告）日 | 2022-07-12 |
| 申请公布号 | CN111564550B | 申请公布日 | 2022-07-12 |
| 分类号 | H01L41/047（2006.01）I;H01L41/09（2006.01）I;H01L41/293（2013.01）I;H01L27/20（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 庞慰;杨清瑞;张孟伦 | 申请（专利权）人 | 诺思（天津）微系统有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京金诚同达律师事务所 | 代理人 | - |
| 地址 | 300462天津市滨海新区开发区西区新业五街27号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件，包括：基底，具有在基底的厚度方向上相对的第一侧和第二侧；第一组谐振器单元，设置于基底的第一侧；和第二组谐振器单元，设置于基底的第二侧，其中：每一组谐振器单元具有至少一个谐振器单元，且第一组谐振器单元和第二组谐振器单元中至少一组为体声波谐振器单元。本发明还涉及一种上述半导体器件的制造方法以及具有上述半导体器件的电子设备。 |
