一种基于p型硅微通道表面均匀纳米修饰的方法
基本信息
| 申请号 | CN201510122203.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104828774B | 公开（公告）日 | 2017-01-04 |
| 申请公布号 | CN104828774B | 申请公布日 | 2017-01-04 |
| 分类号 | B82B3/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;C23C18/36(2006.01)I;C25D3/12(2006.01)I | 分类 | 超微技术〔7〕; |
| 发明人 | 王连卫;李劢;徐少辉;朱一平 | 申请（专利权）人 | 上海欧普泰科技创业股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吴泽群 |
| 地址 | 200062 上海市普陀区中山北路3663号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及纳米材料与微结构技术领域，公开了一种基于均匀的化学镀镍硅微通道衬底结构上生长均匀纳米结构材料的方法，其步骤包括：通过激光切割出所需形状的从硅衬底剥离的硅微通道，用化学镀镍的方法在微通道表面均匀生长一层镍导电层；调整沉积镍的时间使得所得到的镀镍硅微通道的电阻低于两欧姆；然后在镀镍微通道表面通过水热法生长一层纳米结构，这层纳米结构是由CoMoO4这种复合金属氧化物构成的，本发明利用水热法在微米孔径的镀镍硅微通道表面和内部生长纳米结构，提高了结构的均匀性与稳定性，避免了物理方法输运材料到微通道内部造成的微通道的严重堵塞，同时自身具有良好的电化学活性，有望应用于新能源领域。 |
