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一种改进硅微通道板表面形貌的方法

基本信息

申请号	CN201410419030.6	申请日	-
公开（公告）号	CN104326439B	公开（公告）日	2016-09-21
申请公布号	CN104326439B	申请公布日	2016-09-21
分类号	B81C1/00(2006.01)I;H01J9/12(2006.01)I	分类	微观结构技术〔7〕;
发明人	王连卫;徐雨薇;徐少辉;朱一平	申请（专利权）人	上海欧普泰科技创业股份有限公司
代理机构	上海伯瑞杰知识产权代理有限公司	代理人	吴泽群
地址	200062 上海市普陀区中山北路3663号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种改进硅微通道板表面形貌的方法，其步骤为：(1)在硅微通道板完成刻蚀后，采用激光切割使之形成所需大小的圆形薄片；(2)采用PECVD在硅微通道板的两侧依次淀积上300～500nm的SiO₂层和100～200nm的Si₃N₄层薄膜，双面对称等厚；(3)按照干氧?湿氧?干氧的顺序进行氧化，氧化的温度为900?1100℃，干氧的时间控制在15?20分钟，湿氧的时间控制在40?90分钟；得到改进表面形貌的硅微通道板。本发明具有以下有益效果：解决了采取氧化工艺制作绝缘层，由于表面属于自由端，在氧化过程中由于竞争机制，出现交叉处凸起这种使表面凹凸不平的问题。本发明所采用的氧化方法形成绝缘层的工艺，其成品率可以达到80％。