一种柔性高陷光性径向结异质结高效晶体硅太阳电池及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种柔性高陷光性径向结异质结高效晶体硅太阳电池及其制备方法

基本信息

申请号	CN201410295530.3	申请日	-
公开（公告）号	CN104201234A	公开（公告）日	2014-12-10
申请公布号	CN104201234A	申请公布日	2014-12-10
分类号	H01L31/18(2006.01)I;H01L31/072(2012.01)I;H01L31/036(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	余林蔚;李成栋	申请（专利权）人	南京萨科勒纳米科技有限公司
代理机构	南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙）	代理人	陈建和
地址	211106 江苏省南京市江宁区天元路1009号
法律状态	-

摘要

柔性高陷光性径向结异质结高效晶体硅太阳电池的制备方法，1)采用厚度80～500um，电阻率0.1～1000Ω·cm的晶体硅片作为衬底；2)先在晶体硅衬底上制作太阳电池正面结构或半成品正面结构；3)保护好已制作的正面结构从背面减薄衬底：在已制作的太阳电池正面结构或半成品正面结构上制作100nm～100um的保护层或同时在背面也制作边框保护，将晶体硅衬底从背面减薄至5～50um；去除保护层或同时包括背面边框保护层；4)制作背面结构：在背面淀积异质结硅基钝化层2～100nm及背面场2～50nm。异质结结构大幅度的提高电池的转换效率、开路电压、短路电流等；光电性能优良的晶体硅作为柔性电池的吸收基区，是获得较高转换效率的保证。