一种多孔硅粉末的制备装置及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010183691.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113403613A | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN113403613A | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | C23C18/31（2006.01）I;C25F3/12（2006.01）I;C25F7/00（2006.01）I;H01M4/38（2006.01）I;H01M10/0525（2010.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 万文文;刘萍;王磊;徐怀良;陈辉 | 申请（专利权）人 | 上海昱瓴新能源科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海科盛知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘燕武 |
| 地址 | 201112上海市闵行区苏召路1628号1幢C290室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种多孔硅粉末的制备装置及制备方法，该制备方法包括以下步骤：（1）取硅源放入HCl和H2O2的混合溶液中浸泡，过滤后清洗得到产品A；（2）将产品A置于SnCl2和HCl的混合溶液中浸泡，然后取出得到产品B；（3）将产品B置于金属沉积液中浸泡，取出后得到产品C；（4）将产品C置于阳极盒中，往电化学腐蚀槽中添加电化学腐蚀液，通气管内通入氧气，接通电源后，电化学腐蚀处理，最后取出清洗干燥，即得到目的产物。与现有技术相比，本发明不使用高毒害的氢氟酸，采用简单的电化学腐蚀法加以设备和方法上的改进，实现粉体硅源的电化学腐蚀，制备时间短，制备出的多孔硅孔道分布均匀，且孔道直径可控，适合工业化生产。 |
