沟槽MOS场效应晶体管
基本信息
| 申请号 | CN202021217031.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212342640U | 公开（公告）日 | 2021-01-12 |
| 申请公布号 | CN212342640U | 申请公布日 | 2021-01-12 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈译;陆佳顺;杨洁雯 | 申请（专利权）人 | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种沟槽MOS场效应晶体管，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：位于硅片下表面的重掺杂N型漏极区和位于硅片上表面的中掺杂P型基极区；所述沟槽内下部具有第二N型源极部，此沟槽内上部具有栅极部，所述第二N型源极部和栅极部与沟槽之间填充有第一氧化硅层，所述第二N型源极部和栅极部之间通过第二氧化硅层隔离；相邻所述MOS器件单胞之间的中掺杂P型基极区内具有一N掺杂深阱部，此N掺杂深阱部的上端延伸至中掺杂P型基极区的上表面。本发明沟槽MOS场效应晶体管增加耐压的情况下，将关断时将导通电阻降低。 |
