垂直功率MOSFET半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN202021217034.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212725320U | 公开（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申请公布号 | CN212725320U | 申请公布日 | 2021-03-16 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈译;陆佳顺;杨洁雯 | 申请（专利权）人 | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 马明渡;王健 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种垂直功率MOSFET半导体器件，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：位于硅片下部的重掺杂N型漏极层和位于硅片上部的P型掺杂阱层，所述硅片中部且位于重掺杂N型漏极层和P型掺杂阱层之间具有一N型掺杂外延层；一位于P型掺杂阱层内的沟槽延伸至N型掺杂外延层内，位于P型掺杂阱层上部内且位于沟槽的周边具有重掺杂N型源极区；一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱之间填充有第二二氧化硅层；相邻所述MOS器件单胞之间的中掺杂P型基极区内具有一N掺杂深阱部。本实用新型减小了器件工作时候的开关损耗，有效抑制了器件的误开启。 |
