中低压沟槽型MOS器件
基本信息
| 申请号 | CN202021210590.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212342638U | 公开（公告）日 | 2021-01-12 |
| 申请公布号 | CN212342638U | 申请公布日 | 2021-01-12 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/423 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈译;陆佳顺;杨洁雯 | 申请（专利权）人 | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种中低压沟槽型MOS器件，其位于P型掺杂阱层内的沟槽延伸至N型掺杂外延层内，所述沟槽侧壁和底部具有一第一二氧化硅层，且沟槽内间隔设置有用第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱，此第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱之间填充有第二二氧化硅层；所述沟槽内下部具有下N型源极部，此下N型源极部位于第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱与沟槽底部之间，所述下N型源极部与沟槽之间填充有第三氧化硅层，所述下N型源极部与第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱之间通过第四氧化硅层隔离。本实用新型减小了器件工作时候的开关损耗，有效抑制了器件的误开启。 |
